IPD85P04P4L06ATMA2厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.867748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.139448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.229108 +10：￥20.894641 +100：￥16.797767 +500：￥13.801096 +1000：￥11.435078	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.229108 +10：￥20.894641 +100：￥16.797767 +500：￥13.801096 +1000：￥11.435078	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

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	IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥28.223667 +10：￥25.176041 +100：￥20.273339 +500：￥16.828196 +1000：￥13.913076	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD85P04P4L06ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS®-P2
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.4 毫欧 85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	104 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6580 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	88W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）