品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ SH

封装/外壳： DirectFET™ 等容 SH

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： DirectFET™ Isometric SH

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 62mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.2W (Ta), 42W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： DIRECTFET™ SH

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 530 pF @ 25 V

Packaging： Bulk

Package / Case： DirectFET™ Isometric SH

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 62mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.2W (Ta), 42W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： DIRECTFET™ SH

Part Status： Last Time Buy

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 530 pF @ 25 V