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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 下载数据手册未分类	+1：￥12.019997 +200：￥4.655017 +500：￥4.491108 +1000：￥4.414617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.04486	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFZ44ZLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.731817 +10：￥14.110123 +100：￥11.340769 +500：￥9.317809 +1000：￥7.720441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.184526 +10：￥24.382246 +100：￥19.59681 +500：￥16.101143 +1000：￥13.340897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFZ44ZLPBF International 授权代理品牌	IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE 下载数据手册未分类	+283：￥13.177253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.9mOhm @ 31A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1420 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥12.586185 +10：￥12.313087 +100：￥11.733452 +500：￥11.399046 +1000：￥10.894651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFZ44ZLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.9 毫欧 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1420 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）