IPB60R080P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.358257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥74.209952 +10：￥65.977089 +100：￥53.508809 +500：￥43.849356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥24.697683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥42.677514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.536208 +10：￥69.646758 +100：￥57.065518 +500：￥48.579095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.536208 +10：￥69.646758 +100：￥57.065518 +500：￥48.579095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥11.319155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 11.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 590µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2180 pF @ 400 V

Mouser

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	IPB60R080P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥90.882026 +10：￥81.727486 +100：￥67.000618 +500：￥57.182706 +1000：￥57.050031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB60R080P7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥73.272657 +10：￥64.614589 +25：￥49.577584 +100：￥49.079844 +250：￥41.273175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R080P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 11.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2180 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	129W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）