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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT170N25X3HV Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥250.922901 +210：￥100.126575 +510：￥96.771903 +990：￥95.121885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT170N25X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV 下载数据手册未分类	+1：￥208.211452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT170N25X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥262.413718 +10：￥242.006462 +100：￥206.662652 +500：￥187.627631	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT170N25X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV 下载数据手册未分类	+1：￥286.509295 +10：￥264.194628 +30：￥252.348572 +120：￥225.62607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT170N25X3HV 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV 下载数据手册未分类	+30：￥177.614805 +2000：￥159.800931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFT170N25X3HV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.4 毫欧 85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-268HV（IXFT）
封装/外壳:	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）