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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.689664 +100：￥5.686272 +300：￥4.682736 +500：￥4.18104 +1000：￥3.846528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4960 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.719342 +10：￥10.92727 +30：￥9.790834 +100：￥8.643471 +500：￥8.118962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4960 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.658193	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4960 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH8311TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH8311TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.175507 +200：￥4.105926 +500：￥4.001554 +5000：￥3.931974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8311TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH8311TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.175507 +5000：￥4.001554 +10000：￥3.827602 +15000：￥3.54917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8311TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFH8311TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.204334 +5000：￥2.164358 +15000：￥2.104177 +30000：￥2.043995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4960 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.209036 +8000：￥5.898522 +12000：￥5.676886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4960 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.586226 +10：￥13.078158 +100：￥10.200469 +500：￥8.426636 +1000：￥6.652555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH8311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.586226 +10：￥13.078158 +100：￥10.200469 +500：￥8.426636 +1000：￥6.652555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： PQFN (5x6)

IRFH8311TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Ta），169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4960 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），96W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-TQFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）