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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.520512 +100：￥9.274032 +300：￥7.15752 +500：￥6.13512 +1000：￥5.6304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥7.378128 +1000：￥6.260256 +4000：￥4.471632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册	+1：￥18.586968 +10：￥16.528822 +30：￥15.234524 +100：￥14.152406 +500：￥13.441603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.7432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册未分类	+1：￥5.362597 +100：￥4.430974 +500：￥4.067664 +2000：￥3.915152 +4000：￥3.768014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.391469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.31644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.41047 +10：￥16.495289 +100：￥12.85644 +500：￥10.620739 +1000：￥9.31644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.742583 +10：￥20.060537 +30：￥18.836455 +100：￥17.612374 +500：￥17.065138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

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	IRFH7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管	+1：￥22.664662 +10：￥18.702308 +100：￥14.565611 +500：￥12.346693 +1000：￥10.048529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3174 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7446TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3174 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-TQFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）