IRFS7437TRL7PP厂家价格_数据手册

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	IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥55.446192 +100：￥41.081472 +200：￥31.7124 +300：￥26.928432 +400：￥24.22008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册未分类	+1：￥22.859584 +10：￥19.826869 +30：￥17.983607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.892165	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.53688 +1600：￥11.939886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥21.663686 +1600：￥20.632082	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.57382 +10：￥32.805234 +100：￥26.367748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.214348 +10：￥22.580705 +30：￥22.163077 +100：￥21.74545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

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	IRFS7437TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7437 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFS7437TRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	225 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7437 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	231W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）