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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK100N65X2 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥285.365656 +200：￥113.862153 +500：￥110.059463 +1000：￥108.179973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK100N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 100A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥137.647082 +10：￥126.490042 +100：￥106.827937 +500：￥95.030674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK100N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 100A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥237.853698 +10：￥218.57437 +100：￥184.598318 +500：￥164.212688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK100N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 100A TO264 下载数据手册未分类	+1：￥302.251945 +10：￥266.345563 +25：￥259.004702 +50：￥244.642148 +100：￥230.279596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK100N65X2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+300：￥150.192857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK100N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	180 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1040W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）