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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.58481 +10：￥33.940101 +30：￥33.513937 +100：￥33.076846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.75mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 155µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8110 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.908641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.75mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 155µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8110 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.719453 +50：￥26.699336 +100：￥22.885679 +500：￥20.342412 +1000：￥17.418275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.75mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 155µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8110 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥42.713329 +10：￥35.910837 +25：￥33.85427 +100：￥28.950145 +250：￥28.475552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.75mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 155µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8110 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥22.594371 +1000：￥21.86641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 100A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥24.451389 +10：￥19.386109 +100：￥15.676497 +500：￥14.776824 +1000：￥12.607748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+25：￥23.101434 +50：￥21.704169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP037N08N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥24.312396 +10：￥21.890471 +50：￥19.561697 +100：￥17.884981 +200：￥17.791831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥19.786818 +10：￥14.845893 +100：￥13.318497 +500：￥12.46222 +1000：￥11.987801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP037N08N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 100 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥12.529076 +250：￥11.376072	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP037N08N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.75mOhm 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 155µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	117 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8110 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	214W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)