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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXTY01N100D 授权代理品牌 | +1: ¥53.434631 +10: ¥47.945877 +25: ¥46.331537 +70: ¥37.936973 |
艾睿
IXTY01N100D参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | IXYS |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | Depletion |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 110Ohm 50mA, 0V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 120 pF 25 V |
FET 功能: | Depletion Mode |
功率耗散(最大值): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商器件封装: | TO-252AA |
封装/外壳: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |