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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTY01N100D_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥23.439815

+10:

¥21.03705

+100:

¥17.237448

+500:

¥14.673765

+1000:

¥12.375488

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: Depletion

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110Ohm 50mA, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 25 V

FET 功能: Depletion Mode

功率耗散(最大值): 1.1W (Ta), 25W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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IXTY01N100D_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥40.503922

+10:

¥36.351952

+100:

¥29.786252

+500:

¥25.356217

+1000:

¥21.3848

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: Depletion

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110Ohm 50mA, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 25 V

FET 功能: Depletion Mode

功率耗散(最大值): 1.1W (Ta), 25W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTY01N100D_未分类
IXTY01N100D
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

未分类

+1:

¥53.434631

+10:

¥47.945877

+25:

¥46.331537

+70:

¥37.936973

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: Depletion

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110Ohm 50mA, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 25 V

FET 功能: Depletion Mode

功率耗散(最大值): 1.1W (Ta), 25W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTY01N100D_未分类
IXTY01N100D
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK

未分类

+350:

¥31.05492

+500:

¥26.688754

+1000:

¥22.754733

+2000:

¥22.53121

+2500:

¥22.307685

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTY01N100D参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: Depletion
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110Ohm 50mA, 0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120 pF 25 V
FET 功能: Depletion Mode
功率耗散(最大值): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度: -55°C # 150°C (TJ)