IPN80R750P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.812998 +200：￥3.026854 +500：￥2.917581 +1000：￥2.873872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.64169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.281727 +6000：￥6.934997 +9000：￥6.614879	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.659907 +10：￥14.40153 +100：￥11.202848 +500：￥9.495558 +1000：￥7.735165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.659907 +10：￥14.40153 +100：￥11.202848 +500：￥9.495558 +1000：￥7.735165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥22.453128 +10：￥18.341991 +100：￥14.246668 +500：￥12.064603 +1000：￥9.819291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+11：￥9.171158 +25：￥9.079078 +100：￥7.414623 +250：￥7.34096 +500：￥4.775879	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+10：￥3.374343	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+50：￥12.814202 +100：￥10.546202 +250：￥10.282523 +500：￥8.832294	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS P7系列, Vds=800 V, 7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚下载数据手册未分类	+10：￥8.352924 +750：￥8.27029 +1500：￥7.857121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN80R750P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	460 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）