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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXFK50N85X 授权代理品牌 | +1: ¥264.34843 +10: ¥242.882543 +25: ¥232.67962 +100: ¥205.118481 |
艾睿
IXFK50N85X参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | IXYS |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HiPerFET™, Ultra X |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 850 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 152 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4480 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 890W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-264AA |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |