IPN80R750P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.637641 +200：￥6.364721 +500：￥5.09168 +1000：￥4.243107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.812998 +200：￥3.026854 +500：￥2.917581 +1000：￥2.873872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.64169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.349303 +6000：￥7.951738 +9000：￥7.584688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.249031 +10：￥16.512943 +100：￥12.845301 +500：￥10.887705 +1000：￥8.869219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.249031 +10：￥16.512943 +100：￥12.845301 +500：￥10.887705 +1000：￥8.869219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN80R750P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥23.19266 +10：￥18.946117 +100：￥14.715906 +500：￥12.478306 +1000：￥10.355034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+11：￥9.350103 +25：￥9.256227 +100：￥7.559295 +250：￥7.484195 +500：￥4.869065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+10：￥3.440183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPN80R750P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+50：￥13.06423 +100：￥10.751977 +250：￥10.483153 +500：￥9.004627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN80R750P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	460 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）