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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK80N60P3 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥235.548232 +200：￥93.985449 +500：￥90.849323 +1000：￥89.29765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK80N60P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥128.693413 +10：￥118.289888 +100：￥99.901552 +500：￥88.869244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK80N60P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥222.381787 +10：￥204.404531 +100：￥172.629548 +500：￥153.565756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK80N60P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥295.166095 +10：￥271.395385 +25：￥260.061008 +100：￥229.048889	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK80N60P3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 下载数据手册未分类	+300：￥193.540559 +500：￥174.128016 +1000：￥172.387293 +2000：￥170.660495 +2500：￥168.947624	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK80N60P3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）