| IRF5305PBF | IRF5305PBF VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| IRF5305PBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 110W (Tc) 工作温度: -55°C # 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 温度: -55°C # 175°C (TJ) |
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| IRF5305PBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 110W (Tc) 工作温度: -55°C # 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 温度: -55°C # 175°C (TJ) |
| IRF5305PBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 110W (Tc) 工作温度: -55°C # 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 温度: -55°C # 175°C (TJ) |
| IRF5305PBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 110W (Tc) 工作温度: -55°C # 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 温度: -55°C # 175°C (TJ) |
| IRF5305PBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 110W (Tc) 工作温度: -55°C # 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 温度: -55°C # 175°C (TJ) |