IRFS4410TRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.444303 +30：￥22.641303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10mOhm 58A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.0083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10mOhm 58A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS4410TRLPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFS4410TRLPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥4.055392 +1000：￥3.972275 +1500：￥3.820163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFS4410TRLPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFS4410TRLPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.267194 +20：￥5.180835 +50：￥4.964938 +800：￥4.878579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFS4410TRLPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFS4410TRLPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥5.180372 +800：￥4.963896 +2400：￥4.878232 +5000：￥4.532102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10mOhm 58A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.441928 +1600：￥14.710077 +2400：￥13.974547	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10mOhm 58A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥30.139594 +1600：￥25.418963 +2400：￥24.147971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10mOhm 58A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.142692 +10：￥43.214996 +100：￥35.405042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IRFS4410TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.142692 +10：￥43.214996 +100：￥35.405042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

IRFS4410TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	88A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10mOhm 58A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	180 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5150 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C (TJ)