IRLHS6342TRPBF厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥3.287411 +200：￥1.281355 +500：￥1.22884 +1000：￥1.207835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.968847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHS6342TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLHS6342TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.194038 +3000：￥3.949406 +9000：￥3.844534 +12000：￥3.669783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+5：￥7.666652 +50：￥3.742272 +100：￥3.428777 +200：￥3.408556 +500：￥2.771288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+100：￥4.703425 +500：￥3.721045 +1000：￥2.976858 +2500：￥2.71889 +4000：￥2.550189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6342TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLHS6342TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥2.280624 +6000：￥2.240994 +9000：￥2.181548 +12000：￥2.082369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥1.339559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.636008 +8000：￥1.523182 +12000：￥1.466804 +28000：￥1.429149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.827016 +8000：￥2.632054 +12000：￥2.534633 +28000：￥2.469566	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.25608 +10：￥6.43531 +100：￥4.932943 +500：￥3.89925 +1000：￥3.11952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerVDFN 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)

IRLHS6342TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.7A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.5 毫欧 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1019 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHS6342TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLHS6342TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.194038 +3000：￥3.949406 +9000：￥3.844534 +12000：￥3.669783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+5：￥7.666652 +50：￥3.742272 +100：￥3.428777 +200：￥3.408556 +500：￥2.771288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+100：￥4.703425 +500：￥3.721045 +1000：￥2.976858 +2500：￥2.71889 +4000：￥2.550189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6342TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLHS6342TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥2.280624 +6000：￥2.240994 +9000：￥2.181548 +12000：￥2.082369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥1.339559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1019 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）