IAUT240N08S5N019ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.214119 +200：￥24.3452 +500：￥19.47616 +1000：￥16.230093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9264 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.023739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9264 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥13.933557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9264 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥34.085172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9264 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.978203 +10：￥60.994866 +100：￥49.973917 +500：￥42.542428 +1000：￥35.879108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.978203 +10：￥60.994866 +100：￥49.973917 +500：￥42.542428 +1000：￥35.879108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF 下载数据手册晶体管	+1：￥66.277526 +10：￥55.610166 +25：￥52.637297 +100：￥45.117682 +250：￥42.494561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9264 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 80V, 240A, HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥38.061253 +10：￥30.231582 +100：￥24.40513 +500：￥23.000434 +1000：￥22.866071	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUT240N08S5N019ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.9 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9264 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）