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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.685414 +10：￥25.232614 +30：￥20.779814 +100：￥18.553414 +500：￥17.069107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册	+1：￥9.357138 +10：￥8.158321 +30：￥7.489954 +100：￥6.874632 +500：￥6.482099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.493884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL3103PBF 授权代理品牌	IRL3103PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.837845 +5：￥1.791888 +10：￥1.745931 +30：￥1.699972 +50：￥1.669411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.697395 +2000：￥15.435772 +3000：￥15.174149 +4000：￥14.912525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRL3103PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRL3103PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1650 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）