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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.806127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.569017 +10：￥22.033224 +100：￥17.709979 +500：￥14.55072 +1000：￥13.857828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP80R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPP80R750P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	460 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	51W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）