搜索 IRF5802TRPBF 共 32 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF5802TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥0.940898 +200: ¥0.924877 +1320: ¥0.908751 +3940: ¥0.884615 +13110: ¥0.860478 | 暂无参数 | |||
IRF5802TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥2.539589 +30: ¥1.905087 +100: ¥1.717267 +500: ¥1.652973 +1500: ¥1.606598 | ||||
IRF5802TRPBF 授权代理品牌 | +5: ¥2.018499 +50: ¥1.956716 +100: ¥1.925881 +200: ¥1.91549 +500: ¥1.864099 | ||||
IRF5802TRPBF | +5: ¥0.918228 +25: ¥0.895308 +50: ¥0.872271 +100: ¥0.849349 +150: ¥0.834069 | 暂无参数 | |||
IRF5802TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥2.075622 +100: ¥1.591735 +750: ¥1.324323 +1500: ¥1.207171 +3000: ¥1.107848 | ||||
IRF5802TRPBF 授权代理品牌 | +3000: ¥1.257181 |
自营 国内现货
IRF5802TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 900mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.2 欧姆 540mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 6.8 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 88 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro6™(TSOP-6) |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |