IPB60R180P7ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.406522 +200：￥8.545125 +500：￥8.261016 +1000：￥8.118962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.844387 +2000：￥8.402204 +5000：￥8.086287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.283072 +2000：￥14.51898 +5000：￥13.973077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.148654 +10：￥26.740703 +100：￥21.286646 +500：￥18.012218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.148654 +10：￥26.740703 +100：￥21.286646 +500：￥18.012218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥40.716138 +10：￥32.636282 +100：￥26.774426 +250：￥24.873282 +500：￥22.496855	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R180P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥25.124266 +10：￥22.250272 +50：￥19.654406 +100：￥17.800218 +200：￥17.614799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB60R180P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥23.512976 +10：￥19.453228 +25：￥19.262246 +100：￥15.247926 +250：￥15.093102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R180P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180mOhm 5.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1081 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	72W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C (TJ)