IAUT150N10S5N035ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥15.559541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6110 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥26.886835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6110 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.624279 +10：￥48.107962 +100：￥39.420355 +500：￥33.557909 +1000：￥28.3019	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.624279 +10：￥48.107962 +100：￥39.420355 +500：￥33.557909 +1000：￥28.3019	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥64.217834 +10：￥57.687206 +100：￥47.210992 +500：￥40.272201 +1000：￥35.37423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6110 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IAUT150N10S5N035ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥23.913014 +4000：￥23.083587 +6000：￥22.8539 +8000：￥22.739055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUT150N10S5N035ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	87 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6110 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	166W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）