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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2505PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥14.428238 +10：￥12.730798 +30：￥11.669898 +100：￥10.778742 +500：￥10.184638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 104A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8mOhm 54A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2505PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.24924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 104A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8mOhm 54A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2505PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.384291 +10：￥28.233506 +100：￥22.69801 +500：￥18.648696 +1000：￥17.760542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 104A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8mOhm 54A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2505PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 104A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8mOhm 54A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2505PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥12.500063	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL2505PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	104A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8mOhm 54A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)