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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFS7762TRLPBF 授权代理品牌 | +1: ¥5.83495 +200: ¥2.259717 +500: ¥2.185454 +1000: ¥2.143018 |
Digi-Key
IRFS7762TRLPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 85A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.7 毫欧 51A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 130 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4440 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 140W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |