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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.54154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册未分类	+1000：￥2.845773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +50：￥1.629258 +500：￥1.572132 +5000：￥1.529235 +30000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥7.922609 +100：￥6.023096 +500：￥4.554163 +1000：￥3.805395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.910081 +20：￥1.844791 +200：￥1.779501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.750908 +20：￥1.691059 +200：￥1.63121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.307957 +500：￥2.130493 +2000：￥1.952914 +6000：￥1.775334	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.689394 +100：￥2.154572 +1000：￥1.910081 +2000：￥1.818397 +4000：￥1.726713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.382812 +8000：￥3.326899 +12000：￥3.242971 +16000：￥3.187058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.861638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9393TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.3 毫欧 9.2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1110 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册未分类	+1000：￥2.845773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +50：￥1.629258 +500：￥1.572132 +5000：￥1.529235 +30000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥7.922609 +100：￥6.023096 +500：￥4.554163 +1000：￥3.805395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.910081 +20：￥1.844791 +200：￥1.779501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.750908 +20：￥1.691059 +200：￥1.63121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF 授权代理品牌	IRF9393TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.307957 +500：￥2.130493 +2000：￥1.952914 +6000：￥1.775334	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.689394 +100：￥2.154572 +1000：￥1.910081 +2000：￥1.818397 +4000：￥1.726713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9393TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.382812 +8000：￥3.326899 +12000：￥3.242971 +16000：￥3.187058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.3 毫欧 9.2A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）