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IPI22N03S4L15AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
+834:

¥3.706807

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.9 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 31W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO262-3

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPI22N03S4L15AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: PG-TO262-3

IPI22N03S4L15AKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.9 毫欧 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 980 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 31W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)