IRFS7762TRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRFS7762TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 下载数据手册	+1：￥5.83495 +200：￥2.259717 +500：￥2.185454 +1000：￥2.143018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7762TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥7.757424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7762TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥13.404803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7762TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.970686 +10：￥21.524194 +25：￥20.308361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IRFS7762TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

IRFS7762TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.7 毫欧 51A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4440 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）