IXTH76P10T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH76P10T 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥35.579191 +200：￥13.76836 +500：￥13.28756 +1000：￥13.04716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH76P10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 76A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥78.057295	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 197 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 298W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTH76P10T Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH76P10T Littelfuse 下载数据手册未分类	+1：￥82.260175 +10：￥75.295501 +25：￥72.115516 +50：￥71.392764 +100：￥63.500907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH76P10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 76A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥105.117791 +10：￥94.996652 +100：￥78.65131 +500：￥68.48803 +1000：￥59.650795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 197 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 298W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH76P10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 76A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥108.389481 +10：￥98.054054 +30：￥93.416362 +120：￥81.093353 +510：￥70.62542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 197 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 298W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH76P10T 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥118.667909 +10：￥106.496842 +25：￥102.610535 +50：￥101.977881 +100：￥85.81572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH76P10T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchP™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	197 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	298W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）