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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFI520GPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.758114

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¥18.620522

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¥14.966849

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¥12.296958

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¥10.540303

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 4.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 360 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 37W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IRFI520GPBF_晶体管
IRFI520GPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 4.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 360 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 37W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFI520GPBF_未分类
IRFI520GPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

未分类

+1000:

¥9.859395

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¥9.760786

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¥9.609973

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¥8.996571

库存: 0

货期:7~10 天

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IRFI520GPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 360 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 37W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
温度: -55°C # 175°C(TJ)