IPB60R120C7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB60R120C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.214456 +2000：￥14.992362 +5000：￥13.659654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R120C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥26.290529 +2000：￥25.906751 +5000：￥23.603836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R120C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.906818 +10：￥45.667864 +25：￥43.176889 +100：￥34.542499 +250：￥32.623362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB60R120C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3

Mouser

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	IPB60R120C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPB60R120C7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	92W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）