搜索 IRF9Z24NSTRLPBF 共 15 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IRF9Z24NSTRLPBF 授权代理品牌 | +1: ¥4.194191 +200: ¥4.026335 +500: ¥3.925738 +800: ¥3.858711 | 暂无参数 | |||
IRF9Z24NSTRLPBF 授权代理品牌 | +10: ¥3.570926 | ||||
IRF9Z24NSTRLPBF 授权代理品牌 | +3: ¥3.973432 +800: ¥3.655549 +2400: ¥3.496606 +7200: ¥3.337664 | 暂无参数 | |||
IRF9Z24NSTRLPBF 授权代理品牌 | +1: ¥9.493938 +10: ¥8.519266 | ||||
IRF9Z24NSTRLPBF | +5: ¥5.012748 +20: ¥4.842577 +200: ¥4.670785 | 暂无参数 |
IRF9Z24NSTRLPBF参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 175 毫欧 7.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 19 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 350 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.8W(Ta),45W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |