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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.502112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

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	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.911509 +250：￥4.513256 +500：￥4.146335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

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	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.664799 +10：￥7.103704 +100：￥5.522557 +500：￥4.680997 +1000：￥3.813157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.972744 +10：￥12.275177 +100：￥9.54296 +500：￥8.088748 +1000：￥6.589122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Mouser

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	IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥23.888723 +10：￥21.531284 +100：￥14.961885 +500：￥12.730175 +1000：￥10.262721	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360mOhm 2.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -40°C # 150°C (TJ)

艾睿

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	IPA60R360P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥10.851477 +1000：￥10.742672 +2000：￥10.63532 +2500：￥10.529414 +3000：￥10.424961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R360P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360mOhm 2.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	555 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	22W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
温度:	-40°C # 150°C (TJ)