IRFU9110PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.4544 +10：￥8.88624 +30：￥7.31808 +75：￥6.534 +525：￥6.01128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.534507 +10：￥5.551053 +30：￥5.00469 +75：￥3.944744 +525：￥3.671563	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFU9110PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 -100V -12A 下载数据手册未分类	+1：￥2.694686 +10：￥2.196063 +30：￥1.983883 +100：￥1.761094 +500：￥1.623177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF 授权代理品牌	IRFU9110PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.632251 +10：￥1.591503 +30：￥1.550639 +50：￥1.509891 +80：￥1.469027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.939815 +75：￥7.193922 +150：￥5.700856 +525：￥4.832117 +1050：￥3.936266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.869155 +75：￥17.598239 +150：￥13.945803 +525：￥11.820637 +1050：￥9.629148	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.444149 +10：￥16.82981 +100：￥14.068413 +500：￥12.532489 +1000：￥10.375659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.735828 +10：￥12.606001 +25：￥12.376604 +50：￥11.966183 +100：￥9.639424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp 下载数据手册未分类	+75：￥9.929536 +150：￥8.274614 +525：￥7.398479 +1050：￥6.132949 +2025：￥6.035601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9110PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥9.451839 +10：￥7.635196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU9110PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）