IRFS3107TRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥155.544192 +100：￥115.249104 +200：￥88.965504 +300：￥75.54024 +400：￥67.948272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.901406 +10：￥13.916356 +30：￥12.677012 +100：￥11.395657 +500：￥10.817997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.089646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥36.731904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥35.94581 +1600：￥30.778475 +2400：￥28.981265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.562235 +10：￥49.992404 +100：￥40.438771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.562235 +10：￥49.992404 +100：￥40.438771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥73.669278 +10：￥62.420849 +25：￥61.787136 +100：￥51.489279 +250：￥50.697137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥34.722786 +10：￥30.885497 +50：￥28.26491 +100：￥25.644322 +200：￥25.457137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRLPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 230 A, D2Pak封装, 通孔安装下载数据手册未分类	+25：￥33.66189 +50：￥32.996227 +100：￥27.579108 +250：￥27.062645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS3107TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3mOhm 140A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9370 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C (TJ)