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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.829899 +10：￥34.683155 +30：￥31.547028 +100：￥28.913556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥61.94322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.947087 +10：￥46.018118 +100：￥38.101504 +500：￥33.1783 +1000：￥28.897232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.036397 +10：￥79.519154 +100：￥65.839271 +500：￥57.331992 +1000：￥49.93432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB 下载数据手册	+1：￥107.731416 +10：￥95.215561 +50：￥84.600848 +100：￥76.837848 +250：￥74.302991	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP34N65X2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥68.727584 +500：￥68.038521 +1000：￥67.36222 +2000：￥66.685917 +2500：￥66.022376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFP34N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）