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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.466538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.437938 +10：￥12.994145 +100：￥10.443687 +500：￥8.580679 +1000：￥7.109623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.94871 +10：￥22.453838 +100：￥18.046655 +500：￥14.827385 +1000：￥12.285404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A 下载数据手册晶体管	+1：￥31.720244 +10：￥27.372799 +100：￥21.898241 +250：￥21.093158 +500：￥17.711811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPI040N06N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥10.538052 +1000：￥10.433644 +2500：￥10.326334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPI040N06N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	188W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO262-3
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）