搜索 IPB015N04LGATMA1 共 5 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1000： ￥24.892321 +2000： ￥24.52893 +5000： ￥22.348588 +10000： ￥21.80344 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥48.188492 +10： ￥43.246082 +25： ￥40.883611 +100： ￥32.705159 +250： ￥30.888082 | 系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB) | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB) |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| IPB015N04LGATMA1 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
艾睿
IPB015N04LGATMA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5 毫欧 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 346 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 28000 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 250W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |