IPP180N10N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.682205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.750789 +10：￥11.404872 +25：￥10.828726 +100：￥8.120363 +250：￥8.042442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.544528 +50：￥14.1155 +100：￥11.18428 +500：￥9.480323 +1000：￥7.722873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 18mOhm @ 33A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 33µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1800 pF @ 50 V

Mouser

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	IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥18.914547 +10：￥15.669724 +100：￥12.457512 +500：￥9.09855 +1000：￥8.299573	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥7.163534	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP180N10N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 43A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.424472 +10：￥10.259797 +100：￥7.954225 +500：￥5.277199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP180N10N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=100 V, 43 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥8.388247 +250：￥7.549781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP180N10N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	71W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）