搜索 IPD35N12S3L24ATMA1 共 8 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPD35N12S3L24ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥5.813308 +200: ¥2.251018 +500: ¥2.174527 +1000: ¥2.130818 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPD35N12S3L24ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥23.650614 +10: ¥21.253591 +100: ¥16.619351 +500: ¥13.631063 +1000: ¥10.754639 |
艾睿
IPD35N12S3L24ATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 35A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 24 毫欧 35A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V 39µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 39 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2700 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 71W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |