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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI614GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP 下载数据手册	+1：￥6.152053 +200：￥2.382145 +500：￥2.294727 +1000：￥2.261945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI614GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.735591 +10：￥8.912702 +100：￥7.095577 +500：￥6.003573 +1000：￥5.094002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI614GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.551065 +10：￥15.401119 +100：￥12.261134 +500：￥10.374155 +1000：￥8.802419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI614GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP 下载数据手册晶体管	+1：￥24.061051 +10：￥21.686605 +100：￥17.412603 +250：￥15.38641 +500：￥13.407706	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI614GPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 下载数据手册未分类	+1000：￥15.606442 +2000：￥15.451311 +2500：￥15.296181 +3000：￥15.144217 +4000：￥14.992251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFI614GPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	23W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3 全封装，隔离接片
温度:	-55°C # 150°C（TJ）