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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.511613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册未分类	+100：￥13.637908 +500：￥11.204805 +1000：￥9.283842 +2000：￥8.643669 +5000：￥8.323472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.003016 +50：￥18.416702 +100：￥14.594773 +500：￥12.37048 +1000：￥10.077037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥26.295903 +10：￥21.886032 +100：￥17.149502 +500：￥14.127923 +1000：￥10.84502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	600V CoolMOS P7 Power Transistor 下载数据手册未分类	+500：￥10.891148 +1000：￥9.30162 +2000：￥9.30006 +2500：￥9.292261 +5000：￥9.014601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥7.500249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA60R600P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+21：￥14.510994 +50：￥13.301745 +100：￥10.823268 +200：￥10.121902 +500：￥10.085141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 6A, TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥14.876673 +10：￥12.388853 +100：￥9.712558 +500：￥8.003752 +1000：￥7.325254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R600P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 6A, TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥15.994864 +10：￥13.312944 +100：￥10.437738 +500：￥8.601468 +1000：￥7.707492	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R600P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	21W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）