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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥15.313639 +100：￥11.453013 +1000：￥8.879343 +4800：￥6.434296 +24000：￥5.790818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.241154 +200：￥10.927268 +500：￥10.545344 +1000：￥10.354382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.73391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.162645 +1000：￥8.026624 +5000：￥7.958556 +10000：￥7.822536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥5.678519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥13.891161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.410753 +10：￥24.860282 +100：￥17.83668 +500：￥14.733504 +1000：￥13.891161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.410753 +10：￥24.860282 +100：￥17.83668 +500：￥14.733504 +1000：￥13.891161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6613TRPBF International 授权代理品牌	IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	+286：￥16.063567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MT Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.4mOhm @ 23A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.25V @ 250µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5950 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6613TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 下载数据手册晶体管	+1：￥36.979851 +10：￥29.351721 +100：￥21.72359 +250：￥21.226103 +500：￥17.577867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6613TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5950 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MT
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MT
温度:	-40°C # 150°C（TJ）