IPZ40N04S5L4R8ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥28.940625 +200：￥27.551475 +300：￥26.39385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.280836 +10000：￥5.037091 +25000：￥5.027518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.430333 +10：￥10.972868 +100：￥8.53112 +500：￥7.230663 +1000：￥5.890202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.430333 +10：￥10.972868 +100：￥8.53112 +500：￥7.230663 +1000：￥5.890202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 下载数据手册未分类	+1：￥15.354986 +10：￥12.54535 +100：￥9.768384 +500：￥8.281891 +1000：￥6.354352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+34：￥8.908964 +50：￥7.969439 +100：￥6.525687 +200：￥6.13949 +500：￥5.453967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS系列, Vds=40 V, 40 A, PQFN 3 x 3封装, 表面贴装, 8引脚下载数据手册未分类	+5000：￥3.530388 +10000：￥3.424237 +20000：￥3.321665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS系列, Vds=40 V, 40 A, PQFN 3 x 3封装, 表面贴装, 8引脚下载数据手册未分类	+1260：￥6.069642 +2505：￥5.888354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPZ40N04S5L4R8ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）