IPL60R125P7AUMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.20996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 111W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.215544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 111W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.292409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 111W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.292409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4
IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.292409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4

Mouser

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	IPL60R125P7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册未分类	+1：￥56.977356 +10：￥51.147114 +100：￥42.004236 +500：￥35.77648 +1000：￥30.078744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 410µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 111W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPL60R125P7AUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1544 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	111W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-VSON-4
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）