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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.514038 +5：￥32.131792 +15：￥23.586046 +25：￥17.091371 +50：￥16.236748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.139757 +10：￥28.410898 +30：￥24.25217 +100：￥20.825464 +500：￥20.241969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.383073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.406614 +1000：￥20.066504 +5000：￥19.896448 +10000：￥19.556338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.015361 +25：￥31.447874 +100：￥26.23716 +500：￥22.09888	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

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	IRFP7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO247 下载数据手册晶体管	+1：￥54.557719 +10：￥49.582851 +25：￥36.150707 +100：￥30.512523 +400：￥23.879366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 366W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

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	IRFP7430PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+400：￥21.506329 +500：￥19.404451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IRFP7430PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥19.49278 +25：￥16.578324 +100：￥14.401947	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFP7430PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥11.165768 +10：￥11.071143 +50：￥11.071143 +200：￥10.976517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP7430PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.3mOhm 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	460 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14240 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	366W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)