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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK 下载数据手册	+1：￥5.408999 +200：￥2.098036 +500：￥2.021545 +1000：￥1.988763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF 授权代理品牌	IRFU9010PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.119843 +20：￥2.066824 +200：￥1.94319 +4000：￥1.907882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.699017 +10：￥7.758103 +100：￥6.048479 +500：￥4.996668 +1000：￥3.944738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.2801 +10：￥18.978374 +100：￥14.796183 +500：￥12.223173 +1000：￥9.649873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥24.160757 +10：￥17.872342 +100：￥14.678487 +500：￥12.80851 +1000：￥10.491727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9010PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥8.024242 +5000：￥7.243631	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU9010PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	240 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）