IRF3805STRL-7PP厂家价格_数据手册

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	IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥54.144623 +10：￥47.544552 +30：￥43.512389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.038165	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥15.711315 +1600：￥13.452801 +2400：￥12.667254 +5600：￥12.152914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥29.910834 +1600：￥25.611138 +2400：￥24.115603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.59366 +10：￥41.593879 +100：￥33.650172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.59366 +10：￥41.593879 +100：￥33.650172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

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	IRF3805STRL-7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥57.101372 +10：￥48.085366 +100：￥38.911184 +500：￥36.854901 +800：￥29.262476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3805STRL-7PP 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥44.692801 +10：￥38.370264 +25：￥37.993232 +100：￥29.887042 +250：￥29.582515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF3805STRL-7PP 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥20.822268 +2400：￥20.454983 +4800：￥19.508516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF3805STRL-7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.6 毫欧 140A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7820 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）