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IPP80N08S2L07AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPP80N08S2L07AKSA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

Digi-Key
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

IPP80N08S2L07AKSA1_未分类
IPP80N08S2L07AKSA1
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MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA

Supplier Device Package: PG-TO220-3-1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

Mouser
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IPP80N08S2L07AKSA1_未分类
IPP80N08S2L07AKSA1
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MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

未分类

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货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3-1

艾睿
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IPP80N08S2L07AKSA1
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

未分类

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货期:7~10 天

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IPP80N08S2L07AKSA1参数规格

属性 参数值
系列: OptiMOS™
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3-1